NEWS / IDF: Infineon kündigt DDR2-FB-DIMM Muster mit 4 GB an

Auf dem Intel Developer Forum (IDF) in San Francisco kündigte Infineon DDR2-FB-DIMM (Double Data Rate 2, Fully Buffered Dual-In-line Memory Modules) Muster mit Kapazitäten von 512 MB bis zu 4 GB an. Infineon entwickelt und fertigt als erster DRAM-Hersteller alle Schlüsselkomponenten für die neue Generation von Server-Speichermodulen: neben den DDR2-DRAM-Chips liefert Infineon auch den AMB (Advanced Memory Buffer) Chip und den entsprechenden Kühlkörper (Heat-Sink). Darüber hinaus bietet Infineon den AMB Logik-Chip auch anderen FB-DIMM-Herstellern an und hat bereits Muster an erste Kunden ausgeliefert.

Mit FB-DIMMs ändert sich die bisherige parallele Architektur der Registered DIMMs in eine serielle Punkt-zu-Punkt-Verbindung. Damit wird der Engpass beim Durchsatz, bedingt durch steigende Komplexitäten und Geschwindigkeiten der nächsten Generation der Server-Speichermodule beseitigt. Infineon entwickelt und fertigt den AMB Chip, einen Logik-Chip für die Steuerung dieser Punkt-zu-Punkt-Verbindung. Der Chip bietet eine Datenrate von 4,8 Gbit/s für die schnelle Verbindung zu den DDR2-DRAMs, die selbst Geschwindigkeiten von bis zu 800 Mbit/s bei der ersten Generation aufweisen.

Nach einer aktuellen Marktstudie von iSuppli soll der Marktanteil von FB-DIMMs von 16 Prozent bzw. 4,2 Millionen Einheiten in 2006 auf 79 Prozent in 2008 ansteigen. Muster der FB-DIMMs mit Komplexitäten von 512 MB, 1, 2 und 4 GB auf Basis von 512 Mbit und 1 Gbit DDR2-Chips (DDR2-533 und DDR2-667) sind verfügbar. Die Serienfertigung ist für das vierte Quartal 2005 geplant. Der AMB Chip von Infineon mit einer Datenrate von bis zu 4,8 Gbit/s wird in einem 665-Ball-Flip-Chip-BGA geliefert und ist ebenfalls in Mustern verfügbar.